Показать сообщение отдельно
  #34  
Старый 04-07-2015, 07:34
Аватар для AlexKlm
AlexKlm AlexKlm вне форума
Пользователь
 
Регистрация: Jul 2014
Адрес: около Мурманска
Сообщений: 4,840
По умолчанию

Нашёл в интернете статью по ключевой фразе 'driving mosfet by transformer':
Transformer-Isolated Gate Driver Provides very large duty cycle ratios
(HEXFET® is the trademark for International Rectifier Power MOSFETs)


Не работает, хотя и от IRF.com . Она работает, но потребляет от ИП 5 ампер вместо 500 ма, и выбос небольшой в область положительной полярности.

А вот это работает:
Gate Drive Transformer Circuit Maintains Fast Turn-Off Time

испытал на LTspice в схеме:

затвор MOSFET заменил эквивалентом C3 R3.
Схема не окончательная, её надо немного почистить.

P.S.
Почистил, заменил сборный стабилитрон на одиночный, что стало возможным когда заменил стабилитрон с 15 на 18-ти вольтовый, когда средняя рассеиваемая мощность стала небольшой.

Схема работает со скважностью 2 и более. При коротких импульсах спад удлинняется до 200нс, поскольку запасённая энергия в индуктивности мала. Это недостаток. Ещё недостаток простого трансформатора на одном кольце К28 (с разрезом, зазором) в том что при толщине изоляции 0.2 мм фторопластовой ленты, ёмкость между обмотками получилась 70 пф. Это много, даже если взять половину её в качестве вредной, то при амплитуде 300 ваольт в верхнем плече полумоста (для чего и затевалось), на частоте 2 мгц получается ток порядка 0.2 А. Он может существенно повлиять на общую картину.

Последний раз редактировалось AlexKlm; 08-07-2015 в 13:02.
Ответить с цитированием